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三星突破10纳米DRAM瓶颈_蜘蛛资讯网

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圆对晶圆混合键合（PUC）集成，字线材料仍在钼（Mo）与氮化钛（TiN）间评估。          竞争方面，SK海力士拟于10b节点引入4F²+VCT，美光维持现有设计，中国厂商因EUV受限则直接布局3D DRAM。工作晶片落地将显著加速三星10a开发与量产进程。

27年开展品质测试，2028年转入量产。10a至10c三代将持续采用4F²+VCT技术，10d起转向3D DRAM结构。          技术上，单元面积由传统6F²缩减至4F²，可提升单位面积容量30%–50%，兼顾速度与功耗优势；采用IGZO沟道材料抑制漏电，外围电路通过晶圆对晶圆混合键合（PUC）集成，字线材料

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发布时间：20:25:13


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